光刻UV-LED曝光系统

虹科 ALE/1C光刻UV-LED曝光系统是一种用于多用途工业应用的高强度非相干点光源。 它基于 UV-LED 技术，与传统的高压汞放电灯相比具有多种优势，例如降低功耗和发热、延长使用寿命以及减少整体设置维护。

ALE/1C – UV-LED 曝光系统建立在平台概念之上，在其光路中最多可组合三个 UV-LED 发射器。 这些光源通常用于光刻工艺(半导体制造)和工业光固化应用。

●内置实现高效率和性能

●无汞设计，未来可持续

实现最佳OEM集成的分段设计配置

ALE/1C 光源遵循分布式设计方法，通常由一个控制子系统 (CSS) 和一个或多个独立的曝光子系统 (ESS) 组成，非常紧凑，但功能极其强大：我们的 UV-LED 曝光头的这种设计原理实现轻松直接集成到您的设备中。 此曝光子系统发出的光可以与各种可用的光管、光导和其它(定制的)光学器件结合使用。

控制子系统(CSS)

有两个版本的 CSS 可用：独立单元和 4U 19″ 机架安装单元。 两个 ALE/1C CSS 版本都具有相同的控制接口、冷却系统连接器和系统状态指示灯。 此外，机架安装版本在前面提供了一个曝光测试钥匙开关，无需外部控制信号即可激活光输出。

曝光子系统(ESS)

ALE/1C 光引擎是光管耦合点光源。 该系统具有紧凑的曝光子系统 (ESS)，可以轻松集成到您现有的设备(改装)或新设计中。 这个 UV-LED 光引擎连接到一个单独的控制子系统 (CSS)，提供控制和驱动固态发射器以及所有必需的光学组件所需的所有硬件和软件。

出光选择与光学元件

我们提供一系列可与 ALE/1C ESS 结合使用的柔性液态光导、光管、匀化器和聚光光学器件。 如果您需要远距离传输高功率辐射、提高均匀性或想要调整输出辐射的准直角，这些组件特别有用。 请查看我们的光学优化页面了解更多信息。

标准光刻配置：365 nm, 405 nm, 435nm

我们的标准 ALE/1C 设置将 UV-LED 发射器与汞光谱的 i、h 和 g 线 (365 / 405 / 435 nm) 附近的峰值波长相结合。 无论您是想在不更换滤光片的情况下切换波长、自定义输出光谱的组成，还是想利用非常强烈的宽带曝光，我们的 ALE/1C 都能为您提供 350 至 450 光谱范围内的最高 UV-LED 辐射输出

我们的 ALE/1C 的总输出功率高达 40 W 或在冷却回路中添加外部冷却器时高达 50 W。

ALE/1C 光刻UV-LED曝光系统的光谱组成有多种选择。 最多可组合 3 个 LED 模块：

• 近紫外（365、385、405、435 nm）、

• 可见光（470、520、620、660、690 nm）

• NIR-LED （730、770、810、850、970 nm）